鸭脖成视频人app下载无限-三分钟读懂超级结MOSFET

栏目:国内业绩

更新时间:2021-09-25

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基于超级结技术的功率MOSFET已沦为高压电源转换器领域的业界规范。

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本文摘要:基于超级结技术的功率MOSFET已沦为高压电源转换器领域的业界规范。

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基于超级结技术的功率MOSFET已沦为高压电源转换器领域的业界规范。它们获取更加较低的RDS(on),同时具备较少的栅极和和输入电荷,这有助在给定等价频率下维持更高的效率。在超级结MOSFET经常出现之前,高压器件的主要设计平台是基于平面技术。

这个时候,有装病的网友就该回答了,超级结到底是何种技术,区别于平面技术,它的优势在哪里?各位客官什缓,看过这篇文章你就不懂了!平面式高压MOSFET的结构图1表明了一种传统平面式高压MOSFET的非常简单结构。平面式MOSFET一般来说具备低单位芯片面积漏源导通电阻,并预示比较更高的漏源电阻。用于低单元密度和大管芯尺寸可实现较低的RDS(on)值。但大单元密度和管芯尺寸还预示低栅极和输入电荷,这不会减少开关损耗和成本。

另外还不存在对于总硅片电阻需要超过多较低的容许。器件的总RDS(on)可回应为地下通道、epi和衬底三个分量之和:RDS(on)=Rch+Repi+Rsub图1:传统平面式MOSFET结构图2表明平面式MOSFET情况下包含RDS(on)的各个分量。对于高压MOSFET,三个分量是相近的。

但随着额定电压减少,外延层必须更加薄和轻巧掺入,以切断高压。额定电压每增加一倍,保持完全相同的RDS(on)所需的面积就减少为原本的五倍以上。

对于额定电压为600V的MOSFET,多达95%的电阻来自外延层。似乎,要想要明显增大RDS(on)的值,就必须寻找一种对漂移区展开轻掺入的方法,并大幅度增大epi电阻。图2:平面式MOSFET的电阻性元件一般来说,高压的功率MOSFET使用平面型结构,其中,薄的较低掺入的N-的外延层,即epi层,用来确保具备充足的穿透电压,较低掺入的N-的epi层的尺寸就越薄,耐压的额定值越大,但是其导通电阻也急遽的减小。

导通电阻随电压以2.4-2.6次方快速增长,这样,就减少的电流的额定值。为了获得一定的导通电阻值,就必需减小硅片的面积,成本随之减少。

如果类似于IGBT引进少数载流子导电,可以减少导通压降,但是少数载流子的引进不会减少工作的电源频率,并产生变频器的电流扯尾,从而减少开关损耗。


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